IBM оновляє “трекову” пам’ять

Листопад 11, 2012

IBM оновляє “трекову” пам’ять

Учені з АйБиЭм Research відкрили нові характеристики “трекової” пам’яті (Racetrack Memory) – технологічного методу запису інформації, що дозволяє в сотні разів збільшити ємність запам’ятовуючих пристроїв і на порядок знизити енергоспоживання. Нова пам’ять застосовує момент власного обертання електронів для міграції даних по треку нанопроводів на необхідні позиції.

Дані “”трекової”” пам’яті зберігаються у вигляді магнітних областей (доменів) на треках (доріжках) шириною в кілька десятків нанометрів. Група вчених з АйБиЭм вперше вийшло виміряти час і відстань прискорення і уповільнення доменної стінки при її переміщення під впливом імпульсів електричного струму. Це дозволяє з високою точністю контролювати розміщення доменів треках, переміщаючи їх на швидкості декількох сотень миль. В результаті доступ до великих масивів інформації, що зберігається забезпечується менше ніж за одну мільярдну частку сек..

“”Ми виявили, що доменні стінки не досягнуть максимального прискорення відразу після включення електричного струму і що їм потрібен в точності стільки ж часу і швидкості для досягнення пікового прискорення, скільки і для уповільнення до повної зупинки, – повідомив доктор Стюарт Паркін (Stuart Parkin) з дослідницького центру АйБиЭм Research-Almaden, володар почесного звання АйБиЭм Fellow. – Раніше про це не було відомо, почасти тому, що було неясно, чи мають доменні стінки масою, і ефекти прискорення і уповільнення повністю компенсують один одного. Зараз ми знаємо, що доменні стінки можливо з високою точністю позиціонувати уздовж доріжок, варіюючи тривалістю імпульсів струму – навіть при тому, що доменні стінки мають масу

Сегодняшний ритм жизни диктует свои условия и то что раньше люди делали руками и тратили на это много времени сейчас делает техника и экономит ваше время. Узнать цены на поломоечные машины и приобрести их можно на популярном сайте www.radnik-holding.ru тут вы найдете большой выбор и самые приятные условия покупки!



Зверніть увагу:

Добавить комментарий